Το μάθημα ασχολείται με τα νέα ηλεκτρονικά υλικά και τις αντίστοιχες διατάξεις υψηλών συχνοτήτων που δεν βασίζονται στην τεχνολογία του πυριτίου και χρησιμοποιούνται στις τηλεπικοινωνίες, οπτικά δίκτυα κτλ. Τα σημαντικότερα θέματα που καλύπτονται είναι τα εξής: 1) Ηλεκτρονικές ιδιότητες ημιαγωγών ΙΙΙ-V π.χ. GsAs  (ενεργειακές ζώνες, ιδιότητες μεταφοράς, οπτικές ιδιότητες κτλ.  2) Το MESFET από GsAs, στατικές χαρακτηριστικές, ισοδύναμο κύκλωμα 3) HEMT (high electron mobility transistor) στατικές χαρακτηριστικές ισοδύναμο κύκλωμα. 4) Φωτοανιχνευτές και Φωτοδίοδοι (LED). Αποκρισιμότητα διατάξεων. 5) LASER ημιαγωγών 6) Δίδεται επίσης και μία εισαγωγή στην νανοτεχνολογία των ημιαγωγών ΙΙΙ-V και ειδικότερα στη δίοδο συντονισμένου φαινομένου σήραγγας (RTD).

Η εξεταση του μαθηματος θα γινει την 17η ΙΟΥΛΙΟΥ 2015 στις 3μμ και οχι την ημερομηνια που αναφερει το προραμμα εξετασεων ΚΑΤΟΠΙΝ ΑΠΑΙΤΗΣΗς ΤΩΝ ΦΟΙΤΗΤΩΝ ΠΟΥ ΠΑΡΑΚΟΛΟΥΘΟΥΣΑΝ ΤΟ ΜΑΘΗΜΑ.

Ο Διδασκων